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Chinos le roban diseño memorias RAM a Samsung

roban diseño memorias RAM

Según Samsung, SK Hynix y Micron, fabricantes chinos han robado su propiedad intelectual sobre la fabricación de memorias RAM, información que ellos han desarrollado durante más de 10 años de investigación y desarrollo. Los afectados indican que aquellos que han robado este material no están dispuestos a pagar sus licencias, o simplemente se ven incapacitados de comenzar desde cero y competir de buena manera contra empresas ya establecidas con años en el rubro.

China es uno de los países que más consume memorias RAM, por lo que no son pocas las empresas que han nacido en esa parte del mundo para intentar suplir la demanda que esta tecnología tiene gracias a teléfonos celulares, tarjetas gráficas y prácticamente casi cualquier dispositivo moderno. No está demás añadir que el gobierno chino está dando grandes incentivos a quienes comiencen este tipo de negocios.

Micron, en forma de represalia, demandó a la compañía Fujian (quienes desarrollaban módulos para ellos dentro de China) por emplear a un tercero que habría sido el responsable del robo del material intelectual. Esta demanda les jugó en contra, ya que los tribunales chinos dictaminaron que Micron era en realidad culpable de robar a Fujian, y les prohibieron temporalmente sus actividades dentro de su país.

Fuente: Korea TimesTechpowerup